国晶新材：深耕CVD陶瓷与半导体陶瓷器件
2026年8月26-28日，山东国晶新材料有限公司将参加艾邦第八届精密陶瓷产业链展览会，展位号：A10，欢迎各位行业朋友莅临交流！
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公司简介
山东国晶新材料有限公司成立于 2011年，隶属于禹王投资控股集团，是中国早期开展 CVD陶瓷系列产品研发与生产的企业之一。国晶新材是一家专业从事CVD精密陶瓷、粉基烧结精密陶瓷、半导体器件、半导体高纯石英研究与生产的国家高新技术企业。公司主要产品包括CVD陶瓷(PBN、PG、SiC-CVD、TaC-CVD等)、粉体陶瓷(氧化铝、氮化铝、氧化锆、氮化硼等)、涂层类产品(PBN涂层、PyC涂层、TaC 涂层、SiC涂层等)、半导体器件(点源、线源、静电吸盘、陶瓷加热器、石英器件等)。
公司拥有山东省工程技术研究中心和中日新型热解技术合作研究中心。先后承担山东省科技发展计划2项，山东省自主创新及成果转化重大专项3项，荣获山东省国际科学技术合作奖1项，国家重点新产品1项，山东省技术创新优秀新产品1项，多年入选山东省新材料领军企业培育库；先后获批山东省专精特新中小企业，山东省瞪羚企业，授权国家专利120余项。
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产品介绍
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热解氮化硼系类产品
热解氮化硼属于特种陶瓷材料，热解氮化硼的沉积过程宛如 “落雪”，氮化硼的六角形小雪片，一片一片平行地落在基体材料上，达到一定厚度后冷却脱模而成。
产品参数：
主要特点：
纯度高达 99.999%，密度可达2.2g/cm3，表面致密、气密性优异、耐高温性能优异，且强度随温度升高而增大，在 2200°C 时达到峰值；
耐酸、碱、盐及有机试剂腐蚀，高温下与绝大多数金属、半导体材料不浸润、不发生反应；
电阻率高、介电强度高、介电常数小、介电损耗角正切低，且透微波与红外线性能优异；
抗热震性优异、热导率高、热膨胀系数低，在力学、热学、电学等性能上具有显著的各向异性。
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PBN 坩埚类
VGF坩埚
作为采用垂直梯度凝固法(VGF)生长GaAs、InP、GaP、Ge等单晶的专用容器。
主要特点：
可制作大规格坩埚(最大直径为8英寸，最大高度为18英寸)；
纯度高(99.999%)；
使用寿命长(具有优异的层间结构）；
成晶率高(通过调控各向异性，确保高成晶率)。
蒸镀坩埚
应用于OLED 显示技术、太阳能薄膜生长等领域，适用于高温、高纯度材料的熔炼与沉积工艺。
主要特点：
纯度高(99.999%)；
密度高(2.12g/cm3)；
高温下放气率极低；
厚度均匀，加热均匀性优异；
热导率高、抗热震性优异；
层间强度高，易清洗、可重复使用；
化学惰性优异(在高温下与酸、碱、盐及有机溶剂不发生反应)。
LEC、MBE坩埚
应用于半导体晶体及薄膜生长工艺，作为专用生长容器。
主要特点：
纯度高(99.999%)；
密度高(可达2.19g/cm3)；
耐高温性能优异；
化学惰性优异，高温下不与半导体材料发生反应；
不易开裂，使用寿命长。
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PBN板材类
PBN输能窗、夹持杆
广泛应用于雷达、电子对抗、卫星通信等领域，可作为高性能微波元器件(如行波管 TWT)的夹持介质材料。
主要特点：
高密度(2.20 g/cm3)；
高精度(0.003mm)；
高强度(抗弯强度≥80MPa、拉伸强度≥40MPa；
优异的气密性(漏率≤1X10-10 Pa·m3/s)；
优异的导热性能；
低介电损耗；
低介电常数(5.2)；
无气体释放。
PBN绝缘环、片
应用于 0LED、半导体、太阳能等真空、高温领域，可作为绝缘片、绝缘环、支架等部件使用
主要特点：
纯度高(99.999%)；
高温下不释放气体；
介电强度高、电阻率高；
抗弯强度高；
易加工、尺寸精度高。
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PBN涂层类
PBN涂层石墨加热器
在高温高真空环境下，PBN 常用来对设备中的石墨等部件进行涂层保护，还可制成涂层加热器，从而防止石墨发热体在高温下释放碳质杂质。
主要特点：
纯度高(99.999%)、气密性优异；
绝缘性优异；
高温下放气率极；
化学惰性优异，在高温下与酸、碱、盐及有机溶剂不发生反应；
涂层与基体结合紧密，不易脱落。
PBN/PG复合加热器
应用于MBE、MOCVD、PECVD等设备的加热器。
主要特点：
高纯度(99.999%)；
PBN、PG化学稳定性优异，耐酸碱腐蚀；
发热均匀；
可加工为复杂几何形状；
可快速升温至 1700°C(惰性气氛或真空环境下)。
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热解石墨类产品
热解石墨涂层是一种通过化学气相沉积法在基材表面沉积的高纯度石墨薄膜或致密层。它通常与热解氮化硼涂层配合使用，用于高温、真空或半导体外延设备中，实现导电加热或导热功能。
主要特点：
纯度高、表面致密、无气孔，高温下无杂质析出，在 1800°C左右可维持 1.333X10-5Pa真空；
耐高温，强度随使用温度升高而提升，2750°C时强度达到峰值，3600°C时升华；
抗热震性优异、弹性模量低、热导率高、热膨胀系数小；
化学稳定性优异，耐酸、碱、盐及有机试剂腐蚀。
产品参数：
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PyC涂层类
有机EL坩埚、PyC 涂层石墨坩埚
作为电子束蒸镀设备中蒸镀工艺的专用承载与加热容器。
主要特点：
纯度高(99.999%)，气密性优异；
耐高温、化学稳定性优异；
抗热震性优异、热导率高、高温下不与熔融金属发生反应；
重量轻，使用寿命长。
PyC涂层定制件
应用于航空航天、半导体、新能源、冶金等高端工业领域，可承担高温承载、隔热、定位等核心功能。
主要特点：
纯度高(99.999%)，气密性优异；
耐高温、化学性质稳定；
抗热震性优异、热导率高、高温下不与熔融金属发生反应；
重量轻，使用寿命长。
PyC涂层工艺舟、碳/碳板、支架
应用于晶圆高温退火、离子注入、外延生长等半导体关键制程，承担晶圆承载、精准定位功能。
主要特点：
纯度高，表面致密；
耐高温，强度随使用温度升高而提升；
抗热震性优异、弹性模量低、热导率高、热膨胀系数小；
化学稳定性优异，耐酸、碱、盐及有机试剂腐蚀；
无颗粒污染，通过 ICP-MS检测，满足严格的质量控制要求。
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碳化钽类
碳化钽涂层是一种通过化学气相沉积法(CVD)制备的高性能陶瓷涂层，以卓越的硬度、耐磨与耐腐蚀性著称。其硬度接近金刚石，可有效抵御磨损、刮擦与化学侵蚀，是极端环境应用的理想之选。
PVT 法碳化硅单晶生长关键组件、GaN晶圆托、导流圆环、MOCVD外延盘碳化钽(TaC)加热器。
产品特点：
温度稳定性 >2200°C；
可抵御H2、NH3、CH4、SiH4侵蚀；
稳定的热电阻；
与石墨结合力好；
涂层完全包裹。
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碳化硅类
SiC刻蚀环、聚焦环、边缘环
碳化硅刻蚀环(聚焦环、边缘环)：应用于集成电路制造中的干法刻蚀工艺。
主要特点：
高硬度和耐磨性(抵抗等离子体蚀刻磨损，物理隔绝边界；
良好热导率(高温蚀刻中迅速散热防热应力)；
低热膨胀系数(高温中保持尺寸稳定减少热应力)；
CVD-SiC纯度可达 99.9995%，在等离子体刻蚀过程中无杂质析出，避免污染晶圆。
碳化硅涂层外延盘
在半导体制程中，所有与晶圆直接接触或在高温环境下处于同一区域的石墨及烧结碳化硅陶瓷部件，其表面均需沉积高纯度SiC 涂层，以隔绝基材中的杂质，避免污染晶圆。
主要特点：
高的热力学稳定性；
良好的导热性；
涂层厚度均匀、平整度高；
耐腐蚀；
热膨胀系数与石墨匹配性佳，结合力强。
碳化硅涂层（SiC）
SiC 涂层作为半导体生产中的常用耗材，主要用于氧化扩散、刻蚀和离子注入等环节。涂层的物理和化学特性需满足耐高温、耐腐蚀的严格要求，直接影响到产品的良率和寿命，因此SiC 涂层制备很关键。
主要特点：
抗氧化；
耐高温、低热膨胀、高热导、抗热震；
高惰性、抗腐蚀、低杂质析出；
高强度、高硬度、低颗粒产生；
精准定位、高洁净、适配工艺；
长寿命、低维护。
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粉体陶瓷类
热压氮化硼陶瓷（BN）
采用国际先进的真空热压烧结工艺，凭借行业领先的技术支持，确保材料具备优异的机械化学、电学及热学性能，适用于一系列高性能工业场景。
主要特点：
优异的耐高温性能(真空及惰性气氛下使用温度≥2000°C)；
热导率高、热膨胀系数低；
优异的抗热震性；
高温下优异的电绝缘性；
对熔融金属有良好的耐蚀性；
易于机械加工，可定制不同形状和尺寸。
氧化铝陶瓷（Al2O3）
优异的电绝缘性能，价格相对经济，是目前应用最广泛的陶瓷材料之一。可根据使用环境选择适配的氧化铝材料，并针对部件的形状与尺寸规格，采用相应的制备工艺。
主要特点：
纯度高；
高温绝缘性好；
耐等离子体腐蚀；
耐高温性好；
抗热震性好。
氮化铝陶瓷（AIN）
凭借优异的导热性、电绝缘性，以及与硅相近的热膨胀系数等特性，它被广泛应用于各类需要散热的零部件，以及半导体制造设备的相关部件中。
主要特点：
纯度高，耐高温，机械强度高；
热导率高、热膨胀系数低；
高绝缘性，介电常数低；
对熔融金属有优异的耐蚀性。
氧化锆纤维(ZrO2)
氧化锆纤维制品是以氧化忆稳定的氧化锆纤维制成的轻质耐火材料，高温下无相变、尺寸稳定，可加工为板材、异型件等，支持密度定制，能在 2200°C的极端环境中长期使用，并具备优异的耐腐蚀性。
主要特点：
耐高温，最高使用温度2400°C，长期使用温度2200°Ctemperature 2200 °C；
极低的热导率，0.099W/m·K(1400°C)；
高纯度、无挥发；
抗氧化、耐腐蚀；
密度、形状可定制。